庄伟东，南京银茂微电子制造有限公司总经理、高级工程师，第五届全国优秀科技工作者。

1996年获美国麻省理工学院（MIT）电子材料博士学位，2007年回国创建现企业。

他首次提出“密闭式功率模块封装设计”的新学术思想，建立了系统的半气密、全气密式功率模块的散热设计与电路安全设计理论体系。研究IGBT等功率器件表面金属层厚度对电性能与键合行为的影响规律，揭示了金属层特性导致电流承载能力失效的本质原因。提出了金属键合临界条件的电性能计算与图解法和控制金属表面钝化程度以控制键合失效特性的原理。研究采用SiC器件的高耐温功率模块用于200摄氏度以上的工作环境，提出了芯片特性急速衰减和材料性能恶化状态下的功率模块封装设计理论。

他研发的超薄无底板大功率模块技术成果填补国内空白，整体模块研发水平达到国内领先、国际先进。他的部分研发成果获3个美国和国际专利，8项国内专利，国家发改委电力电子产业化专项等省部级以上项目2项，在国内外科技期刊发表论文十余篇，均被SCI、EI收录。他还被评为江苏省高层次创新创业人才、江苏省科技企业家培育工程人选、江苏省“333”高层次人才，第十届“江苏省优秀科技工作者”。